在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0。24um线性膨胀，所以必须有±0。1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。

　　然而对于大部分净化工程，为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力(静压)高于外部的压力(静压)。净化工程对压力差的维持一般应符合以下原则：

　　1、洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。

　　2、相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。

　　3、净化工程昂当中洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄(或渗透)风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。对于乱流洁净室由于主要靠空气的稀释作用来减轻室内污染的程度，所以主要用换气次数这一概念，而不直接用速度的概念，不过净化工程对室内气流速度也有如下要求：

　　1、送风口出口气流速度不宜太大，和单纯空调房间相比，要求速度衰减更快，扩散角度更大。

　　2、吹过水平面的气流速度(例如侧送时回流速度)不宜太大，以免吹起表面微粒重返气流，而造成净化工程的再污染，这一速度一般不宜大干0。2m/s。