净化工程具体工艺对温度的要求各有不同，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。

　　例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有士0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种净化工程不宜超过25度。

　　净化工程湿度过高产生的问题更多，相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产较佳温度范围为35—45%。

　　另外相对湿度有一系列可能使净化工程总体表现下降的因素，其中包括：细菌生长、工作人员感到室温舒适的范围出现静电荷、金属腐蚀、水汽冷凝、光刻的退化等。

　　因此湿度控制是净化工程生产必需具备的重要条件，相对湿度是净化工程、洁净室运作过程中一个常用的环境控制条件。净化工程中的典型的相对湿度的目标值大约控制在30至50%的范围内，允许误差在士1%的狭窄的范围内。